Samsung ha presentado V10 Bonding V-NAND, un prototipo con más de 400 capas y una arquitectura que fabrica por separado la memoria y sus circuitos periféricos antes de unir ambas obleas.
La empresa afirma que el sistema mejora un 58 % la densidad frente a la generación V9 y aumenta prestaciones de lectura, escritura y entrada-salida.
También mostró el concepto zHBM, que situaría memoria directamente encima del acelerador de IA. Samsung estima más de diez veces la densidad de HBM5, tres veces su eficiencia energética y una reducción superior a la mitad de la resistencia térmica.
Las cifras pertenecen todavía a una presentación tecnológica, no a un producto desplegado masivamente. Su relevancia está en el problema que intenta resolver.
PublicidadARQUITHEAArquitectura para mirar mejorIdeas, obras y herramientas para entender la ciudad desde preguntas reales.Sigue @arquithea_ ↗Los modelos necesitan mover cantidades crecientes de información entre almacenamiento, memoria y procesadores. Cada desplazamiento consume energía, genera calor y añade latencia.
Acercar físicamente las capas puede reducir ese coste. El futuro del modelo más avanzado puede depender de unas micras que el usuario nunca verá.
El dato. Samsung ha presentado un prototipo V10 BV-NAND de más de 400 capas y el concepto zHBM para integrar memoria directamente sobre aceleradores de IA.
Crédito de imagen: memoria V-NAND de Samsung, Samsung Global Newsroom. Archivo oficial en alta resolución.
¿Cuánto puede crecer la inteligencia artificial antes de que su principal límite deje de ser calcular y pase a ser mover información?
Samsung apuesta por reducir la distancia física entre memoria y acelerador. Si funciona a escala industrial, unas pocas micras podrían disminuir energía, calor y latencia en sistemas que hoy gastan cada vez más solo para transportar datos.
